论文提纲的设计需要按照论文原有的设计思路与逻辑顺序进行整体的设计与书写，下面是小编搜集整理的博士学位毕业论文提纲范文，欢迎阅读参考。
博士学位毕业论文提纲范文一
摘要 4-6
Abstract 6-7
目录 8-11
第1章 绪论 11-37
1.1 课题研究背景及意义 11-12
1.2 透明导电薄膜的分类及特性 12-20
1.2.1 单层透明导电薄膜 13-19
1.2.2 叠层透明导电薄膜 19-20
1.3 界面对叠层透明导电薄膜性能的影响 20-22
1.3.1 界面对叠层透明导电薄膜稳定性的影响 21-22
1.3.2 界面对叠层透明导电薄膜光电性能的影响 22
1.4 透明导电薄膜的应用 22-30
1.5 叠层透明导电薄膜的研究现状 30-34
1.6 本论文的主要工作及创新点 34-37
第2章 新型高性能NiO/Ag/NiO叠层透明导电薄膜的制备及其在有机太阳能电池上的应用 37-65
2.1 引言 37-39
2.2 实验方法 39-41
2.2.1 NAN叠层透明导电薄膜的制备与性能测试 39
2.2.2 以NAN和ITO为阳极的太阳能电池的制备方法与性能测试 39-41
2.3 结果与讨论 41-51
2.3.1 NAN薄膜的.光学性能 41-45
2.3.2 NAN薄膜的电学性能及其稳定性 45-48
2.3.3 NAN薄膜的表面形貌 48-49
2.3.4 NAN薄膜在有机太阳能电池中的应用 49-51
2.4 本章小结 51-52
2.5 引言 52-53
2.6 实验方法 53-54
2.7 结果与讨论 54-63
2.8 本章小结 63-65
第3章 叠层透明导电薄膜SnO_x/Ag/SnO_x的制备及其在有机太阳能电池中的应用 65-96
3.1 引言 65
3.2 实验方法 65-67
3.2.1 SAS叠层透明导电薄膜的制备与性能测试 66
3.2.2 以SAS和ITO为阴极的太阳能电池的制备方法与性能测试 66-67
3.3 结果与讨论 67-77
3.3.1 SAS薄膜的光学性能 67-70
3.3.2 SAS薄膜的电学性能 70-72
3.3.3 SAS薄膜的表面形貌 72-73
3.3.4 SAS薄膜在有机太阳能电池中的应用 73-77
3.4 本章小结 77-78
3.5 引言 78-79
3.6 实验方法 79-80
3.6.1 Bi_2O_3界面层以及SASB电极的制备过程及测试方法 79-80
3.6.2 倒置太阳能电池的制备过程 80
3.7 结果与讨论 80-92
3.7.1 Bi_O_3作为阴极界面层在有机太阳能电池中的应用 80-82
3.7.2 SASB 薄膜的光电性能 82-84
3.7.3 SASB的表面形貌 84-86
3.7.4 低功函SASB电极在有机太阳能电池中的应用 86-92
3.8 本章小结 92-93
3.9 总结 93-94
3.10 展望 94-96
参考文献 96-111
在学期间学术成果情况 111-112
指导教师及作者简介 112-113
博士学位毕业论文提纲范文二
摘要 5-7
Abstract 7-8
目录 9-12
第1章 绪论 12-26
1.1 半导体激光器的研究进展 12-21
1.1.1 高功率半导体激光器 12-15
1.1.2 高效率半导体激光器 15
1.1.3 高可靠性半导体激光器 15-16
1.1.4 高光束质量半导体激光器 16-18
1.1.5 窄线宽半导体激光器 18-21
1.2 单纵模半导体激光器的研究进展 21-23
1.2.1 国外单纵模半导体激光器的研究进展 22-23
1.2.2 国内单纵模半导体激光器的研究进展 23
1.3 本文的研究目的与内容 23-26
第2章 高阶光栅单纵模半导体激光器理论设计与分析 26-46
2.1 半导体激光器的基本特性 26-29
2.1.1 半导体的辐射跃迁 26-27
2.1.2 半导体激光器的增益与阈值条件 27-29
2.2 半导体激光器的输出功率与转换效率 29-31
2.2.1 半导体激光器的输出功率 29-30
2.2.2 半导体激光器的转化效率 30-31
2.3 半导体激光器的纵模与光谱特性 31-32
2.4 高阶布拉格光栅波导的理论模型 32-38
2.4.1 分布反馈(DFB)激光器和分布布拉格反射(DBR)激光器 32-33
2.4.2 散射理论 33-36
2.4.3 传输矩阵理论模型 36-38
2.5 高阶布拉格光栅波导的光学特性分析 38-42
2.5.1 传输矩阵分析 38-40
2.5.2 高阶布拉格光栅的损耗光谱 40-42
2.6 单纵模激光器的空间相干性分析 42-45
2.6.1 部分相干光定理 42-43
2.6.2 相干度理论计算方法 43-45
2.7 本章小结 45-46
第3章 高阶光栅单纵模半导体激光器制备 46-68
3.1 外延生长技术 46-47
3.2 光刻技术 47-52
3.3 刻蚀技术 52-61
3.3.1 干法刻蚀 52-55
3.3.2 SiO2和GaAs刻蚀工艺探索 55-59
3.3.3 湿法腐蚀 59-61
3.4 薄膜生长技术 61-65
3.4.1 电绝缘膜生长技术 62
3.4.2 金属电极生长技术 62-64
3.4.3 光学薄膜生长技术 64-65
3.5 高阶光栅半导体激光器的制备 65-66
3.6 本章小结 66-68
第4章 高阶光栅分布布拉格反射半导体激光器 68-94
4.1 高阶光栅单纵模分布布拉格反射半导体激光器 68-81
4.1.1 器件结构设计 68-76
4.1.2 器件制备 76-77
4.1.3 器件测量结果 77-81
4.2 双波长高阶光栅分布布拉格发射激光器 81-86
4.2.1 器件设计 81-83
4.2.2 器件制备 83-84
4.2.3 器件测量结果 84-86
4.3 高阶光栅耦合半导体激光器可靠性分析 86-92
4.3.1 拉曼光谱分析技术原理 87-88
4.3.2 测试结果与分析 88-92
4.4 本章小结 92-94
第5章 高阶光栅单纵模分布反馈半导体激光器 94-100
5.1 器件制备 94-96
5.2 器件测量结果 96-99
5.3 本章小结 99-100
第6章 单纵模半导体激光器件空间相干特性的研究 100-116
6.1 VCSEL单管器件空间相干性研究 100-107
6.1.1 部分相干光理论 101-103
6.1.2 测试结果 103-107
6.2 VCSEL列阵器件的空间相干特性研究 107-114
6.2.1 器件设计 107-110
6.2.2 器件制备 110
6.2.3 测试结果 110-114
6.3 本章小结 114-116
第7章 总结与展望 116-118
参考文献 118-132